N-沟道功率MOSFET-MPF12N65

MOS管是一种金属氧化物半导体场效应晶体管；它由金属、氧化物和半导体材料构成；分为N沟道型（NMOS）和P沟道型（PMOS）两种类型；具有低功耗、高速度、小型化、可靠性优点。

工作原理是通过控制栅极电压来调节漏极和源极之间的电流流动，实现信号放大或开关操作；由于MOS管结构简单，可以实现高度集成的电路设计，在现代电子技术中起着不可忽视的作用。

(资料图)

可广泛应用于电子设备中，如集成电路、电源管理、通信系统等领域；MOS管在集成电路中作为逻辑门、存储器和微处理器等关键组件，可以实现高度集成和小型化。在电源管理中，MOS管用于电池管理、功率放大和开关控制等。在通信系统中，MOS管用于射频功率放大器、调制解调器和滤波器等。

由工采网代理的MPF12N65是一款高压平面MOS管；采用N-type沟道形式；TO-220F封装；可应用于LED电源/适配器/PD快充等等。

MPF12N65特性：

额定电压（电流）：650V-12A

栅极开启电压：2.0V～4.0V

导通电阻：典型值0.65Ω，绝对值为0.8Ω

栅极电荷量(nC)：40.2

输入结电容(pF)：1780pF

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原文标题 : N-沟道功率MOSFET-MPF12N65

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